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预计在未来的数年内,芯片生产商家将是困难丛生。
芯片厂商计划到2007年晚些时候开始生产0.045微米工艺的芯片,他们接着将在两年后将生产工艺推进到0.032微米。生产出来的这种芯片速度将更快、能耗量会更低、集成的晶体管更多、而且制造成本会也更低些。
尽管采用0.045微米工艺的手机芯片在性能提高30%的情况下,能耗量反而会降40%,而且消费者不需要担心电池使用时间,可以在手机上玩游戏或看电视节目。然而,生产这种芯片将会是困难重重,而且厂商们不得不修改它们目前使用的基本材料和工艺。若有失误就会意味着将落后于其竞争对手们几个季度的时间。据德州仪器生产工艺部门的主管彼特表示,在向0.045微米工艺的过渡中会存在几种使过渡比较艰难的因素,但对我们来说,这不是第一次首次遇到这样的困难。
各大芯片厂商以及大学的研究人员将于本周出席IEEE赞助的2006 Symposium on VLSI Circuits。英特尔公司将在这次会议期间阐述由它开发的三栅极晶体管。据英特尔公司组件研究部门的主管迈克表示,在能耗量相同的情况下,三栅极晶体管的性能将提高35%。虽然这样的原型产品已经被开发出来,但三栅极晶体管不会被应用在英特尔公司的0.045微米工艺中。他表示,我们认为0.032微米和0.022微米工艺用上三栅极晶体管还是很有机会的。但他对英特尔公司是否将会在0.045微米工艺中用金属取代多晶硅方面拒绝发表评论。
同时,德州仪器公司将展示一个仅仅占用0.24 平方微米的0.045微米工艺的SRAM内存单元,到目前为止,它的这一尺寸与其它厂商的类似产品相比较小大约30%。它能够减小SRAM单元尺寸的原因就在于它采用了浸没光刻技术。另外,德州仪器公司还对其生产工艺中的许多别的方面进行了改进。它在采用浸没光刻技术方面抢先于其竞争对手。IBM公司计划在2、3年后的0.032微米工艺中采用其Nemo浸没光刻技术;尽管计划在0.045微米工艺中采用,但英特尔可能在0.032微米工艺中采用浸没光刻技术。它计划在2007年晚些时候向厂商交付0.045微米工艺芯片,它是第一批批在2005年末交付0.065微米工艺芯片的厂商之一;而德州仪器公司计划在2007年晚些时候生产0.045微米工艺芯片样品,商业化生产则需要等到2008年。Freescale公司计划在这次会议上展示其据说可将芯片能耗量降低30%的硅绝缘技术。但它没有表示是否会将这一技术应用于0.045微米工艺。AMD公司则计划在2008年年中开始生产0.045微米工艺芯片。
据业界人士认为,摩尔定律将在0.022微米工艺芯片于2012或2014年问世后不再有效。到那时芯片厂商不得不采用晶体管之外的新结构传输信号,这由于继续缩小晶体管在经济上已经不再可行了。但也有许多人士认为,纳米技术将使晶体管的寿命再次延长几年时间。
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