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CarlZeiss引领光刻工艺,新技术加快扩张步伐

发布时间:2006年11月7日 点击次数:30
来源:电子工程专辑   作者:
 

    Carl Zeiss SMT公司已经展示了一种用于光刻系统的新型设计和生产设施,其定位是致力于把最新沉浸光刻系统用于低至45nm的半导体几何学工艺。

    新近成立的中心是该公司的光刻设备在德国Oberkochen的第三步扩张步骤,据该公司称,自2000年12月破土动工首次扩张以来,公司已将超过4亿5000万欧元(约5亿6300万美元)投入到全部设施,并投入3亿欧元用于设备和机器,1.5亿欧元用于厂房。

    这些设施中,部分现已投入生产,Carl Zeiss SMT还将开发和制造现正推广的下一代Starlith 1900i光刻光学系统。据该公司称,这种系统除多个镜片外还包括多个光学反射镜,设计用于130nm光波长并支持1.35的数字孔径。这一系统可能会成为由Carl Zeiss SMT公司的主要客户ASML形成的新一代制造系统的核心。

    发言人说,生产过程包括表面被覆和最后调整,公司为此启用了一块面积约几千平方米的无尘室。该公司目前每年销售数百件光学光刻系统,像目前所推出的Carl Zeiss公司的Starlith光学系统,代表了下一代光刻系统,半导体有望被转移到EUV(极超紫外线)工艺中。Carl Zeiss SMT公司目前也正从事于这一系统的开发;首批alpha工具已于近日运抵美国和比利时等客户手中。但是,大量的EUV量产路线图仍在激烈讨论中,并且在Carl Zeiss内部,尚无人愿提供一份精确的时间表。

    “我们认为十年内不会出现,”一位发言人含糊其辞地评价说。


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