在近日所举行的SPIE先进光刻技术会议上,LuminescentTechnologies公司宣布了其最近的研究成果：已将反向光刻技术应用于45纳米和32纳米芯片中。LuminescentTechnologies公司表示,反向光刻技术可以解决45纳米工艺中单层和扩散层的线端缩短问题。制造商都试图将其干式步进光刻机扩展到45纳米节点,因此推迟了向沉浸式光刻技术的转变。

    在现有的光学临近修正(OPC)技术下,由于线端缩短问题,单层和活性层等重要层的印刷难度极大。单层印刷尤其复杂,因为线端空间太小,OPC几乎无法纠正问题。而LuminescentTechnologies公司表示,反向光刻技术就可以以适当的处理窗口轻松印刷45纳米单层和扩散层。

    而且,对焦深度(DOF)改进了至少100纳米,比传统的方法改进了30％多。这一进步意味着掩膜的可生产性。如果采用传统的OPC方法,最好的对焦深度也不到300纳米,留下的处理空间非常之小。