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第55477篇:储存量大寿命长的RFID芯片面市

发布时间:2007年3月16日 点击次数:62
来源:中国电子市场网   作者:
 

    AssaAbloy识别技术公司是世界领先识别与RFID产品制造商与供应商之一,近日宣布推出新的SokymatINTagF-Mem16kbitRFID标签,专门用于严酷的工业环境,特点是读写寿命特长。这种新的INTagF-Mem标签采用独特的铁电材料工艺制成[FRAM(FerroelectricRandomAccessMemory-铁电随机存储器)],有特长的读写寿命。这种近乎无限读写寿命的随机存储器特别合适在工业和自动化生产环境使用,也只有FRAM能够满足这种严酷生产环境的要求。

    这种标签的功能有点像小型数据库,可以记录跟踪对象的每一个移动。在制造业的生产线上面,跟踪对象每经过一道工序,标签内部的存储器内容就会局部更新。根据产品制造周期的长短以及工序数量的多少,每天的数据存储次数很容易达到几百次,一年达到几百万次。这样频繁的读写次数只有FRAM工艺可以承受。

    原先的RFID标签采用常见的EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory-电可擦除可编程只读存储器),写入寿命约为10万次。采用INTagF-Mem16kbit以后,写入次数可以提升10万倍,达到上百亿次的读写寿命。

    INTagF-Mem的存储容量大,一次可以储存约2 i000个字符,而且与ISO15693/ISO18000-3标准兼容,工作频率为13.56MHz。

    INTagF-Mem标签是ITG公司目前INTag产品系列的补充,特点是采用FRAM工艺的大容量RFID芯片。INTag产品系列有多种尺寸(20,30,50mm)适合不同读取距离环境应用。由于这种标签结构牢固、耐高温、抗腐蚀特别适合在自动化生产环境应用。

    FRAM工艺与EEPROM比较还有其它优点,如写入操作时功耗更低,只是EEPROM的千分之一;而且写入性能提高,读取与写入性能同样优良。FRAM工艺对γ射线不敏感,所以INTagF-Mem芯片可以用于跟踪一些特定环境的物品,如在医院采用γ射线杀菌的场合。


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