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IMFlash初次亮相,首推50纳米NAND闪存样片 |
| 发布时间:2006年8月7日 点击次数:107 |
| 来源:E代电子 作者: |
最近,英特尔和美光(Micron Technology)推出采用50纳米工艺制造的4Gb容量NAND闪存样片。据美光表示,该器件由两家公司的合资企业IM Flash生产。就在几天前,三星电子宣布推迟了8G NAND闪存芯片的发货,因为该公司正在开发每单元存储四比特数据的NAND闪存技术。 而美光表示,此次和英特尔携手推出的是容量为4Gb的样片,他们计划2007年量产各种容量的存储器,均采用50纳米过程工艺技术。 根据行业研究预测,NAND闪存的市场规模将在2006年达到130至160亿美元,并且到2010年发展到大约250亿至300亿美元。美光内存业务副总裁Brian Shirley说,“美光在2004年进入NAND闪存业务,当时使用90纳米工艺过程。在很短时间内,通过与英特尔合作,我们现在已经可以推出业界领先的闪存产品。” |
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