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国外媒体报道,韩国第二大芯片制造商海力士（Hynix）半导体公司近日表示,公司已经与美国新达（SanDisk）公司达成了交叉许可协议,从而允许两家公司分享各自的专利技术。 两家公司还就建立合资企业签署了谅解备忘录,以期通过建立合资企业共同生产和销售电脑芯片。
这份文件还透露,两家公司将共同出资兴建一家闪存生产企业,并且由海力士公司将负责生产过程。但文件并没有透露合作的相关细节,也没有说明双方的投资金额。
另外,此前一天,海力士公司还与日本东芝公司签署了类似协议,了结一与东芝的一系列有关NAND闪存专利的诉讼和纠纷。两年前,由于没有达成交叉许可协议,东芝在2004年11月份起诉海力士,二者在美国和日本陷入了旷日持久的纠纷中。当时东芝关于认为海力士的DRAM和NAND专利证书没有通过更新审核,它针对海力士美国法人分别在德克萨斯和加利福尼亚的联邦地方法院对其提出起诉。东芝同时向国际贸易委员会(ITC,International Trade Commission)申请禁止海力士的产品进入美国市场。可是国际贸易委员会在去年12月宣布并经过调查并未未发现海力士有侵权行为,东芝不服,表示会继续上诉。
东芝在日本的起诉获得了胜利,2006年3月东京地区法院判决东芝胜诉,海力士则一方面申请上诉,同时也努力和东芝协商和解事宜。最终两家公司选择了和解,虽然中间的一些细节并未确定,不过有知情人士透露海力士向东芝赔付了现金。
有关专家指出,海力士公司与世界知名公司签署交叉许可协议,有助于它在未来发展中避免专利侵权诉讼。“协议的签定对两个公司都是一件好事。诉讼最后以和解结束,各自的业务可以继续发展。”东芝公司副总裁兼半导体部门执行副总裁Shozo Saito说。海力士高级副总裁O.C. Kwon说：“我们相信和解将会成为双方建立合作互利关系的基础。”
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