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朗明科技公司展示最新反向光刻技术 |
| 发布时间:2007年3月16日 点击次数:177 |
| 来源:中电网 作者: |
据朗明科技公司说,该公司的这项技术成果可以解决45纳米多晶硅和扩散层线长变短的问题(line-end shortening)。如今,生产商们正在探讨45纳米工艺延长分步曝光的可能性,以便推迟浸湿式光刻。 由于存在线长变短的问题(line-end shortening),目前所采用的光学临近修正(OPC)在光刻临界层时一直是十分困难的,多晶硅层由于线端距离短,使得光刻更加困难,没有光学临近修正的余地。而朗明科技公司的反向光刻技术在加工45纳米多晶硅和扩散层时却游刃有余,反向光刻技术使得焦深也致少改进了100纳米,这比传统的光刻技术多出30%以上。这种改进对掩模加工有着重要的含义。传统的光学临近修正最大的焦深仅在300纳米以下,使得加工余地非常狭小。 朗明科技公司声称,反向光刻技术改进了焦深,扩展了加工余地使得厂商们得心应手。 |
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