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美国Aviza科技公司和澳大利亚SEZ集团日前就在利用ALD（Atomic Layer Deposition,原子层沉积）技术形成高介电常数（high-k）膜时,对附着在晶圆顶端或背面而造成元件污染的薄膜进行清除的技术达成了合作协议（发布资料1）。
避免high-k材料造成污染的风险
ALD技术可用于形成high-k膜,目前业界正在探讨将其导入45nm工艺（hp65）以后的晶体管中。与真空溅镀法相比,能够形成均质薄膜且覆盖率高;另一方面,晶圆的顶端和背面则容易堆积薄膜。可利用ALD技术形成的high-k膜材料包括HfO2、HfSixO和HfSiON等金属氧化物,这些附着在晶圆顶端和背面的薄膜往往会产生污点,或者通过工艺设备产生污染。因此,必须在保护晶圆表面即将配备元件的部位的同时,利用药剂通过蚀刻法清除这些多余的薄膜。但是,在这种过程中则面临着因过度蚀刻而使晶圆的平坦性和均质性遭到破坏的危险。
此次展开合作的双方——ALD设备厂商Aviza科技公司和单枚湿式处理技术开发商SEZ集团,将利用后者拥有的“旋涂工艺技术”,联合开发对晶圆损伤较小的ALD膜清除技术。旋涂工艺技术由于能够在带图案的晶圆正面朝下的状态下进行处理,因此通过控制药剂溅到晶圆正面,就能减轻对晶圆造成的损伤。
还将着手解决采用金属栅时对晶圆造成的损伤
另外,SEZ集团同时还与从事工业及医疗气体与药品生产的法国Air Liquide公司达成了技术合作协议（发布资料2）。根据协议,双方将联合开发在形成预计将在45nm工艺（hp65）以后的工艺技术中与high-k膜同时导入的金属栅时,用于清除附着在晶圆顶端和背面的薄膜的清除技术。作为金属栅候选材料之一的Ru（钌）存在着化学活性低,难以利用药剂进行清除的问题,双方将共同致力于解决这一课题。
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