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“2005年有源矩阵型液晶显示器国际研讨会（AM-LCD '05）”的第2天,在三场专题会议上总计发表了10场特邀演讲,另有2条快讯,还有44项海报展示,内容非常丰富。其中的压轴戏就是东京工业大学教授细野秀雄所做的题为《Transparent High Performance FET Using Amorphous Oxide Semiconductors》的技术发表。细野曾因2004年底在《自然》科学杂志上发表《室温下在塑料底板上形成迁移率为10cm2·V-1·s-1的透明非结晶氧化物半导体FET》而一鸣惊人。
在多种候选材料中,a-InGaZnO4半导体能够和ITO（铟锡氧化物）一样进行操作。将从便利店买来的饮料瓶简单地清洗后,先在上面形成a-InGaZnO4半导体层、ITO源-漏极电极、Y2O3栅极绝缘膜,最后再形成ITO栅电极,就能制成n型FET。
这是一种非常出色的FET,其迁移度约为10cm2·V-1·s-1,阈值电压约为0.25V,导通截止比为10的6次方。尽管这是一场富有幽默感的演讲,但让人感到“轻松”之余却也体会到了非比寻常的技术知识。例如,有关氧气量、载流子密度以及迁移率控制等的技术经验。明年会不会用于哪种商品中？业界对这项技术寄予了厚望。
东京大学副教授染谷隆夫以《A sheet image scanner based on 3D organic transistor integrated circuits》为题,介绍了将有机半导体图像传感器元件与晶体管电路在塑料（PEN）底板进行一体化成形的3D图像传感器技术。这种传感器的分辨率为36dpi,面积为5cm×5cm,厚度为0.4mm,重1g,尽管体形并不大,但却能够读取曲面的信息。染谷表示,可弯曲半径为2mm,伸展、弯曲,再伸展——即使这样重复1万次,其功能也不会变化。尽管到10万次以后会产生故障,但其原因在于作为布线电极的金线发生断裂,而并非有机TFT和传感器的故障。
另外,在“AM-LCD”会议上少有的以《High Quality Displays（高性能显示器）》为题的专题研讨会上,分别介绍了最新的PDP技术与3板式背投技术,以及使用LED背照灯的液晶电视技术和65英寸液晶电视技术。
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