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中日合作研究 N型氮化硼半导体纳米管问世 |
| 发布时间:2005年7月4日 点击次数:95 |
| 来源:电子产品世界 作者: |
氮化硼作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性,是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同,氮化硼纳米管通常表现出稳定一致的电学特性,有着非常诱人的应用前景。而实现氮化硼纳米管的掺杂,诱导其半导体特性,是实现该材料大规模应用的关键。 对氮化硼纳米管结构进行的系统表征证明,这是一种稳定的掺杂结构。他们发现F掺杂实现了氮化硼纳米管从绝缘体向半导体的转变,低于5%的F掺杂浓度使氮化硼纳米管的电导提高3个数量级以上。这一结果为采用该材料制作纳电子器件的研究奠定了基础。 |
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