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IBM推出电致发光纳米管晶体管 |
| 发布时间:2005年12月13日 点击次数:195 |
| 来源:电子产品世界 作者: |
通过在硅片上发射数千个光子,其能量消耗与砷化镓内的一个光子相同。IBM预测,碳纳米管(carbon nanotube)晶体管将导致在硅片上制成光集成器件。据IBM称,硅片集成光器件将有望降低成本,促进电子学发展,减少对奇异半导体材料(如砷化镓)的需求。 IBM表示,其技术通过电气激励悬浮于掺杂硅晶圆上方的碳纳米管,实现了1,000倍亮的发射强度。所产生的电子空穴对电气中性,当复合时发射出红外光。其它研究组织也报道过碳纳米管发光,由激光激励光致发光。IBM则宣称其技术仅采用电气激励产生电子空穴对,密度比光致发光大100倍。 IBM表示,凭借其光发射技术实现了非常高的效率。IBM在高掺杂的硅晶圆上的二氧化硅薄膜内蚀刻了沟道,制成了此款光发射晶体管。晶圆衬底充当碳纳米管晶体管的背面门极。而器件所发射的红外光强度与门极驱动电流呈指数相关。 |
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