韩国三星电子公司11日表示,第三季其芯片部门营收可望创新历史记录,并乐观预测全球半导体产业今年将蓬勃成长。三星此外还发表了新一代512Mb相变式随机存取内存（PRAM）,及采用40奈米制程的32Gb NAND闪存。

　　三星半导体事业群总裁黄昌圭说：“受惠于DRAM（动态随机存取内存）的强劲需求,我们第三季营收可望大幅提升。”但他未提供具体数字。

　　三星第二季芯片部门的营业利润为9800亿韩元（10亿美元）,营收达4.4兆韩元。该部门营收最高纪录是去年第四季创下的5.09兆韩元。

　　黄昌圭估计,今年全球NAND市场将比去年大增22%,达135亿美元。他说：“随着NAND闪存需求大幅增加,预期价格还会继续上涨。”

　　除此之外,三星并发布了最新非挥发性存储器PRAM,并且向外界展示512Mb的PRAM原型。该产品主要应用在数码装置储存资料速度更快,储存速度约为传统Flash的30倍,估计将于2008年问世。

　　三星同时还展示了一款新开发的容量为32Gb的NAND闪存。该产品采用40奈米制程。目前三星的闪存主要采用70奈米制程。