产品说明：

R2A20101可对来自电池电源的输入电压等进行降压，从而得到微型机、DSP、DDR SDRAM等需要的电源电压，并可提供以下一些特性：

1. 输出电压控制的瞬态响应快速负载
   使用这种新的控制方法可以缩短负载瞬态响应时间50%以上（瑞萨的比较）。与以前响应负载波动输出的电压变化所需的10μs的恢复时间相比，R2A20101可在仅为5μs的时间内作出响应。这可以防止当LSI电流耗散突然增加，以及随后的电压漂移（寄生振荡）引起的电源电压的瞬时局部跌落所造成的LSI误动作或损坏。
2. 片上平行操作功能
   R2A20101在提供650mA的最大输出电流的同时，也可以容易地使用几个R2A20101芯片对超过650mA的负载进行平行操作处理，这样就简化了处理更大的系统电流的方法。
   

该产品的同步整流和低导通电阻*4功率MOSFET的使用可提供高效率，使功率转换效率达到92%（在2.5V输入、1.8V输出条件下）。PWM开关频率最高为2MHz，能够利用一个外部常数进行任意设置。高速开关可使用更小尺寸的电感器和电容器，以减小电源系统所需的安装面积。此外，4.7μF的陶瓷电容器可以用作输出滤波电容，有助于实现小尺寸和低纹波水平。

R2A20101采用4毫米×4毫米×0.8毫米小型QFN-24低热阻封装，或1.96毫米×1.26毫米×0.48毫米超小型CSP-15封装，有利于降低安装面积和简化散热设计。