飞思卡尔半导体日前宣布推出业内第一款封装在超模压塑料封装内、性能堪与气腔封装媲美的2 GHz大功率RF晶体管。这些先进的设备基于飞思卡尔的高压第七代（HV7）RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 技术。这种先进的技术旨在帮助无线基础设施的设计人员极大地降低无线系统中最昂贵的元件—基站放大器的成本,同时达到严格的性能要求。 　　
 
　　飞思卡尔的旗舰型HV7设备是在TO-270 WBL-4封装内提供的MRF7S19120N。该设备能够提供最低120 W P1dB和36 W的平均功率,一般性能有望达到18 dB的增益,在PAR=6.1dB时能够达到32%的效率和-37.5 dBc的线性（用CCDF上的PAR=7.5dB @ 0.01百分比概率的单载波W-CDMA信号进行测试）。相应的2.1GHz产品系列计划于2006年第三季度推出。

　　MRF7S19120N可在1.9 GHz的频率上提供相当性能的第一款晶体管,最低输出功率为120 W CW。与同类气腔封装产品相比,它所实现的性能在每个电力参数上都毫不逊色。

　　几十年来,人们一直使用陶瓷气腔封装来封装大功率RF晶体管。它们本来就能乘受并散发由晶体管产生的较大热量,而且与裸露晶体管硬模相比性能不会有大幅度降低。

　　“飞思卡尔一直致力于用能够提供卓越性能的经济高效的超模压塑料模型补充我们的气腔封装设备,”飞思卡尔副总裁兼RF事业部的总经理Gavin Woods表示,“与采用气腔封装的同类设备相比,超模压塑料封装设备能在每单元基础上实现更低的成本,从而为放大器制造商带来极大的成本优势。此外,超模压塑料设备还可以实现更高效的自动化装配,从而简化客户的制造过程,进一步实现成本的节约。”

　　多年来,飞思卡尔一直在制造奇偶性能（parity performance）高达1 GHz的超模压塑料封装RF设备。然而,要在超模压塑料封装内实现与气腔封装一样的2 GHz性能,需要复杂的设计技术和广泛的工作,以克服技术和材料方面的限制。