英特尔有限公司今天宣布, 将扩展其NOR闪存产品线,以满足不断增长的数十亿美元嵌入式市场的需要。英特尔公司计划引入3伏（3V）版本的英特尔StrataFlash®嵌入式存储架构。英特尔还透露,将以首款串行外围接口（Serial Peripheral Interface, SPI）产品进入迅速发展的串行闪存领域。

　　英特尔的上述行动体现了其对NOR嵌入式闪存市场的高度重视。嵌入式闪存目前已被广泛应用到各种消费电子产品、工业应用、个人电脑和有线通讯设备。行业分析人士预计,NOR嵌入式闪存市场规模(不包括手持设备) 在2006年将达到20~30亿美元,其中,SPI闪存将成为增长最快的领域之一。 　　 

　　英特尔StrataFlash嵌入式存储器家族新增的3V版本是3V嵌入式应用的理想的解决方案,如机顶盒、基站、网络设备。同时, 针对用户多种应用转换的需求,StrataFlash产品家族也给开发者提供了多种存储密度和产品封装的选择。目前3V版本处于抽样检测阶段,预计将在今年第四季度投入生产。 　　 

　　英特尔之所以选择以一款SPI闪存产品作为首次进入串行闪存市场的敲门砖,是因为SPI闪存产品具有性能出众且安全系数高的特点,这正好满足了消费类电子及电子计算市场的要求。串行闪存技术通过减少针脚数目和简化主板设计来节省主板空间,并缩短产品推向市场的时间。英特尔还将提供符合工业标准的封装引脚以及指令集,方便客户加快设计周期。这些广泛应用于DVD、数字电视机、打印机、个人电脑等设备上的串行闪存产品现在正在进行抽样检测,预计也将在第四季投入生产。 　　 

　　“业内分析人士预计,NOR嵌入式闪存市场将继续增长,从 2006到2010将翻一番。”英特尔公司副总裁兼闪存产品事业部总经理Darin Billerbeck表示, “英特尔将不断完善我们的产品线,在这些领域不断扩大我们的市场。”