美国东部时间3月17日（北京时间3月17日）消息 飞利浦公司当地时间周三表示,该公司技术人员已发现一种用于超薄电路半导体存储器的新材料。有可能取代现有的各种类型的存储芯片。 

　　这种新材料只需要极低的电压就可以完成“开”与“关”两个程序的转换,它可以用于“记忆”存储在芯片上的数据。这种新材料可用于未来具有更薄、更小电路的芯片,并且它的工作电压要比现在的芯片电压有所降低。 

　　这种材料可以在芯片断电后记忆数据,这种功能与现有的用于MP3和数码相机的闪存芯片类似。飞利浦研究中心在即将发行的4月号《自然材料》上撰文指出,“与现有的闪存技术不一样的是,这种新材料能使生产出的（芯片）小很多。” 

    预计,以此新材料研发出的新存储芯片将于2007年或2008年面世。届时,芯片的线路将小于50纳米,而现今最薄的芯片为90纳米。 

　　这种新材料是一种名为锑化碲的半导体合金。在电流通过时,它可以改变其状态,并保持这一状态直到另一次电流通过。改变状态性材料目前已经用于可读CD和DVD中。 

　　这种新材料的另一个优点是它造价低廉,并且状态转变的时间很快。飞利浦称,“它的转换速度是向闪存存储原件发出指令,进行运行所需速度的100到200倍,这使得它将成为DRAM的强有力的替代品。”,DRAM是一种用于个人电脑的存储芯片方式,它在断电情况下不会记忆数据,但这种芯片要比闪存芯片便宜。 

　　由于这种新材料成本低廉、转换时间迅捷,在此基础上有可能组成新的单存储器构架。飞利浦可升级统一标准存储项目负责人Karen Attenborough称,“存储行业的经典就是出现能够替代其它规格的,所谓单一格式的存储芯片,这种芯片具有SRAM的速度、DRAM的密度和闪存的稳定度。”