用于侵入电流限制应用的自保护、可复位电子保险丝[技术文章]

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用于侵入电流限制应用的自保护、可复位电子保险丝

发布时间:2006年5月7日点击次数:780

来源:今日电子作者:

　生产商：安森美半导体　ON SEMICONDUCTOR

　产品说明：

NIS5112是一款集成自保护、可复位的电子保险丝,采用内置电荷泵驱动高端N-通道FET。为用于12伏(V)系统而设计,NIS5112为热插拔应用如企业级硬盘提供一个高性价比的侵入电流限制解决方案。

NIS5112可以在12V背板上安全插拔设备,NIS5112集成SENSEFET高端开关,以价廉的电阻芯片替代昂贵的低阻抗分流电路进行电流检测。与可调电压转换率耦合,NIS5112使设计人员可轻易地选择在多种应用中限流输出电压的提升速率。NIS5112的输入电压范围为9～18V,且提供过压保护,能在瞬流中运行,保护负载。此器件也包含控制导通电压、输出电流、裸片温度、导通di/dt和导通dV/dt,及启动/定时器功能的电路。它提供两种限热版本的稳健热保护电路,即自动重试和锁存关闭。

NIS5112D1R2G(锁存)和NIS5112D2R2G(重试)采用无铅SO-8封装。

特性
· 集成功率器件
· 热限制保护
· 无须外部分流电路
· 内置电荷泵
· 9～18V输入范围
· 典型值为30mΩ

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