当地时间本周一,韩国储存芯片制造商现代半导体公司宣布,它已经开发出全球最快的计算机储存芯片。

   
    现代半导体称,这款全球最快的储存芯片是采用先进的60纳米制造工艺开发的,目前已经通过了计算机微处理器制造商英特尔公司的测试认证。

    现代半导体表示,公司计划明年早些时候将开始大规模生产这种储存芯片,新开发的储存芯片运行时钟频率为800 MHz,相比之下,目前市场上运行时钟频率最快的储存芯片为667 MHz。

    现代半导体指出,与先前采用80纳米制造工艺生产的芯片相比,采用60纳米制造工艺开发的1GB储存容量,300 MHz时钟频率的 DDR2 DRAM 储存芯片成本效益提高了50%。

    开发这些新的芯片采用了二种新技术,现代半导体命名这二种技术为3-D晶体管和3-层配线技术。