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美国飞索与台积电共同开发使用MirrorBit

发布时间:2007年5月29日 点击次数:351
来源:技术在线   作者:
 

    美国飞索半导体(Spansion)宣布,将与台积电(TSMC)共同开发使用多值化及高密度化技术“MirrorBit”、工艺为后40nm的闪存。合作条件没有公布。

    两公司已在采用MirrorBit技术的110nm工艺和90nm工艺方面缔结了协约,此次为拓展了此前的合作范围。TSMC从06年第2季度起,便开始生产飞索半导体的110nm工艺MirrorBit产品所需要的晶圆。90nm工艺MirrorBit产品使用的300mm晶圆生产方面,预定于07年中期投产。


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