堆栈式与沟槽式2大DRAM制程技术到目前虽已顺利进入90纳米制程阶段,但为了能进一步降低生产成本,提高产出颗粒数量,且为了将产品推进到DDRIII世代,2大DRAM阵营无不卯足全力,加紧脚步将制程技术再推进至70纳米制程,不过,目前在进入70纳米制程前似乎均遇上瓶颈,因此纷纷打算在70纳米制程前,再安插80纳米制程最为过渡时期商品,为接下来70纳米制程先行暖身。

　   无论是堆栈式制程或沟槽式制程,大多花费近1～2年时间,才顺利将90纳米制程良率调整到最佳状态,不过这样的时间已较过去花费更多时间,目前全球各大DRAM厂如三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）、奇梦达（Qimonda）、美光（Micron）、尔必达（Elpida）,再加上台系的力晶（5346）、南亚科（2408）、茂德（5387）、华亚科（3474）以及华邦电（2344）,几乎全数均采用90纳米制程量产

　    但DRAM产业所要拼的便是产能大、制程领先、制造成本不断降低,因此对于挺进下世代70纳米制程技术同样是刻不容缓,为此2大制程技术集团均纷纷加紧速度,期待能够再更进一步进入70纳米制程,然而,这样的期待恐将还要再等上一阵子,原因在于进入70纳米制程,两大阵营均有些困难,先是沟槽式制程阵营于日前指出,有可能在进入70纳米制程前,先导入80纳米制程。

　   虽说沟槽式制程集团表示,还是会如期导入70纳米制程,但业内人士认为,会有这样的安排,应是在进入70纳米制程有困难,无独有偶地,在堆栈式阵营中,同样有DRAM厂传出将在进入70纳米制程前,推出过渡性的80纳米制程。

   　据了解,堆栈式制程集团中有部份DRAM厂现已打算将现有的70纳米制程向后顺延,原因在于70纳米制程难度较高,先前三星在进入80纳米制程时,便已遭遇到相当程度困难,以至于三星被迫将80纳米制程技术导入量产的时间点向后顺延,连全球第一大DRAM厂都面临瓶颈,其余DRAM厂难保在进入70纳米制程时不会有如此瓶颈出现。