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Actel推出第三代以Flash为基础器件为业界奠下最低价FPGA解决方案的标准

发布时间:2005年1月29日 点击次数:168
来源:电子经理世界   作者:
 

 

 

 

公司定位将针对超过50%的新FPGA设计;

全新单芯片ProASIC3器件会将Flash应用推向市场主流

 

 

Actel公司宣布推出第三代以Flash为基础的可编程逻辑方案,也是全球最低成本的现场可编程门阵列 (FPGA) 器件,名为ProASIC3ProASIC3E系列,成功推动该公司进入一个新的竞争时代。ProASIC3/E系列是Actel因应市场对全功能、高成本效益FPGA的强劲需求而设计,主要面向消费、汽车及其它成本敏感的应用领域。这个“以价值为基础”(value-based) 的区间在FPGA市场中增长最快,预计今年可达到5亿美元的规模。

 

Actel公司总裁兼首席执行长 John East说:“过去10年来,Flash技术已发展成突破性的技术,对每个涉及领域都有着深远的影响。例如,Flash技术使到手机、照相机和录像机的下一代产品发生了革命性的变化,现在则对可编程逻辑市场带来同样的冲击。事实上,FPGA技术的主流平台已出现根本改变,而Actel正好处于领导位置。”

 

Semico Research公司ASIC/SoC高级分析员Rich Wawryzniak指出:“随着产品面市压力和制造成本不断飚升,FPGA正迅速占据传统以单元为基础主导的价值市场,包括消费及汽车等,都讲求非常高的安全性和低价格。ActelProASIC3/E器件具备低价位和安全的Flash结构,是瞄准PLD市场的良方。”

 

East称:“新的ProASIC3器件是世界上最低成本的FPGA,而其性能和安全性比同类以SRAM为基础的产品还优胜。以Flash为基础的FPGA可提供安全、低功耗、上电即行和可重编程的解决方案,透过媲美ASIC的单位成本,实现FPGA产品能快速推出市场的优势,有助舒缓大批量市场对ASIC需求的压力。”

 

 

基于其成功的ProASIC Plus系列,Actel全新的单芯片器件具有64位、66 MHz PCI性能,是业界首个具备片上用户Flash存储器的FPGA。该器件的系统门密度范围从3万至300万个,并提供先进的安全ISP (系统内可编程) 技术。

 

除了单位成本低之外,ProASIC3/E系列还可通过去除系统板上的多种器件,降低系统整体成本。举例说,该系列器件无需外部引导程序或微控制器来支持器件编程,而其上电即行特性无需外部CPLD即可在上电期间让系统运行起来。器件数目的减少可节省线路板空间,从而提高可靠性、简化库存管理,以及降低总系统成本。

 

Flash为基础FPGA具有价格、性能和安全性优势

 

ProASIC3/E系列提供1024 (128x8) 片上非挥发性用户Flash存储,以及基于多达6个板上锁相环 (PLL) 的时钟调节电路。这种用户可用的非挥发性存储器可用于多种系统应用,包括IP设备寻址、用户喜好选项存储、系统校准设置、设备序列号和/或库存控制及日期设定。该器件还带有高达504 kb嵌入式真实双端口SRAM,以及604个用户I/O,达致66 MHz64PCI性能。

 

与基于SRAMFPGA不同,ProASIC3/E带有安全机制,可防止外界对所有编程信息进行访问,而且采用业界标准的128AES算法,确保重编程可以安全地在系统内实行。在支持未来的迭代设计及现场升级时,更无需担心宝贵的IP会被损坏或复制。该系列器件还集成了FlashLock,无需额外成本即可提供可重编程和设计安全的独特组合。内置的解密引擎和基于FlashAES密匙使得ProASIC3/E成为当今市场上功能最齐全的可编程逻辑方案。此外,非挥发性Flash技术还为该器件提供了低功耗和上电即行的优点。

 

ProASIC3/E系列的非挥发和可重编程特性是通过业界领先的先进Flash LVCMOS工艺实现,该工艺具有7层金属 -- 61铝。标准CMOS设计技术用于实现PLL等逻辑和控制功能,因此具有可预测的性能。精细颗粒的结构、增强的灵活布局,以及丰富的Flash开关,这些特点的完美结合使得该器件在高度拥挤的设计中的利用率高达到100%,并对性能的影响极微。

 

 

 

 

 

ProASIC3特点:

 

§        3万至100万个系统门

§        18108 kb真实双端口SRAM

§        81288个用户I/O

§        3.3V64位、66MHz PCI

§        高达350 MHz外部系统性能

§        1.5V内核电压实现低功耗

§        1.5V1.8V2.5V3.3V I/O工作电压

§        可分组 (Bank) 选择的I/O电压 每芯片多达4

 

ProASIC3E特点:

 

§        60万至300万个系统门

§        108504 kb真实双端口SRAM

§        多达604个用户I/O

§        3.3V64位、66MHz PCI

§        高达350 MHz外部系统性能

§        1.5V内核电压实现低功耗

§        1.5V1.8V2.5V3.3V I/O工作电压

§        可分组选择的I/O电压 每芯片多达8


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