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Zetex放大器参考设计具低噪低失真和高阻尼因素特性 |
| 发布时间:2007年1月20日 点击次数:290 |
| 来源: 作者: |
Zetex Semiconductors近日推出一系列新型超低音放大器参考设计,以独特的反馈架构减低失真和噪声,并达到紧密低音控制所需的高阻尼因素。 最新ZXCDSUBEV死循环式设计以ZXCD系列D类调制器为基础,能产生高至285的阻尼因素,总和谐失真加噪声值比0.05%还要好,其持平的频率反应完全迎合超低音应用的需求。 Zetex亚太区销售副总裁李锦华指出:“这些高增益电路设计,从经过滤的放大器输出提取反馈信号,能补偿任何桥接失配的情况,并可过滤非线性信号,确保能在整个功率频带范围内减低失真。” 有关反馈信号还可体现上佳的电源供应抑制比(PSRR),使超低音放大器电路与非调节线性电源互相配合,体现最佳运作。此外,有关电路能抵受极高的偏移电压。 ZXCDSUBEV凭借90%的效率和500W及以上的功率水平,有效把电影原声音乐的优质音效发挥至淋漓尽致。 超低音技术制造商可选择使用单端式或桥接式负载架构。初阶选项能达致150W、250W及500W的输出功率,迎合4Ω要求。此外,新设计凭借其高延展效能,使这项别具成本效益的单独平台可以轻易产生更高功率。 |
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