韩存储器大厂海力士（Hynix）宣布将再加码投资扩产,继续提高2006年的资本支出,从原先的3.6兆韩元（约37.5亿美元）,增加到4兆韩元（约41.7亿美元）,以扩充存储器芯片生产设备,海力士也希望寻求更多的合作伙伴。

  　 海力士在2006年6月就已经发行过新股筹措资金,近期则在8月初宣布将投资1.26兆韩元（约13亿美元）,扩充及升级存储器产能及相关研发实力,其中一部份投资额将作为NAND型快闪存储器（Flash）产线导入60纳米米工艺之用。如今预计将再发行4亿美元的可转换公司债,不过确切时间未定。

    　海力士策略发展资深副总裁O.C. Kwon表示,海力士预计大陆12寸新厂在2007年初提前量产NAND型Flash,目前正加紧脚步推动中。而该公司在江苏省无锡与意法半导体（STMicroelectronics）合资成立的晶圆厂,以生产DRAM为主

   　Kwon进一步强调,由于微软（Microsoft）的新操作系统Vista即将上市,执行Vista计算机将会需要较多的存储器容量,现阶段的DRAM需求上升,而存储器厂为了因应需求而进行转换工艺仍碰到一些问题。所以当目前DRAM需求超乎预期时,海力士将会调整原本DRAM与NAND型Flash 6：4的产能分配,持续增加DRAM产出比重。

    　另外,Kwon透露,海力士将会增加策略合作的伙伴,以强化该公司的营运与竞争力。目前海力士与意法、茂德为合作伙伴,Kwon表示,由于这个产业的资本投入相当庞大并且技术持续在进步与变革,将会寻求合作对象共同投资设厂。