中国半导体企业目前对于如何借鉴、应用现有专利技术来节约研发成本、缩短研发周期、避免专利侵权等问题还没有很深刻的认识。为了让更多企业能够借鉴已公开的专利技术,了解行业核心技术和其他企业的技术部署,北京市集佳律师事务所上海分所,对浅沟槽隔离技术（STI）中国专利申请进行了调研、分析。

　　调查范围

　　本次调查针对2006年3月28日之前公开（公告）的浅沟槽隔离技术在中国的专利申请进行调查分析,共118件发明专利申请和1件实用新型申请。

　　如图1所示,在浅沟槽隔离技术领域,由于台湾的企业主要以代工为主,晶片代工产品的全球占率达73%,居世界首位,台资企业在中国大陆申请的专利占60%的绝对优势。

　　浅沟槽隔离技术的专利申请主要集中在代工厂商,而很少涉及IC设计厂商,如三星和西门子这样的IC设计厂商虽然有在这方面申请专利,但是申请量很少,且该技术专利申请的公司分布广泛。由此可以看出,浅沟槽隔离技术是半导体制造过程中一个必要的技术而非壁垒技术。

　　STI技术的专利申请分布

　　在浅沟槽隔离制造过程需要解决的技术问题主要集中在漏电流和浅沟槽绝缘层表面平整化与均匀性方面。如图所示,在所检索到的119件中国公开(公告)专利申请中解决漏电流问题的专利申请97件,占所检索到的专利申请总量的82%,可见漏电流问题是整个浅沟槽隔离技术中需要解决的关键问题;解决浅沟槽绝缘层平整化和均匀性问题的专利申请有12件,占10%;解决其它技术问题的专利申请为10件,占8%,主要包括热电子引致的穿透崩溃(Hot e-ectron Induced Punch-through; HEIP)现象、使沟槽的宽度变的更小的方法、含锗衬层以及基底的低温处理工艺等技术问题。

　　如图2所示,解决漏电流、绝缘层平整化与均匀性问题的专利申请都呈上扬趋势。

　　结论

　　1） 从本次专利调查的情况来看,浅沟槽隔离技术作为半导体制程中的一个必要技术,对半导体器件的最终性能起着重要的作用。

　　2） 浅沟槽隔离技术则是为了对应0.35um以下的深亚微米工艺而发展的一种隔离技术。但随着对半导体元件集成度的要求越来越高,在90纳米以下制程节点,浅沟槽隔离的实现更具有挑战性。

　　3） 因为漏电流问题将会直接导致半导体器件的性能和可靠性降低,因此浅沟槽隔离技术的关键问题在于如何解决漏电流。在本次调查的公开（公告）的专利申请文件中,解决漏电流问题的专利申请占82％。

　　4）浅沟槽隔离技术涉及制造厂商众多,但没有大量集中在少数厂商,也很少涉及IC设计厂商。因此,浅沟槽隔离技术应该不是壁垒技术。