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全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出3款新型的25V DirectFET MOSFET,包括IRF6622控制MOSFET,以及IRF6628和IRF6629同步MOSFET。它们适用于服务器和电讯系统中的嵌入式CPU功率VRM模块,以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要高效率和更佳的导热效能,从而提高功率密度。 IR台湾分公司总经理朱文义表示：“这些25V DirectFET组件切合12V应用的需要,因为它们比竞争对手提供的20V组件具有更充裕的电压空间,功率损耗也比拥有相同动态硅区的30V组件为低。” IRF6622控制MOSFET的闸电荷相当低 (Qg = 12nC),有助减少交换损耗。IRF6628和IRF6629同步MOSFET经过最佳化,不但拥有低传导损耗,通态电阻 (RDS(on)) 也相当低,分别只有1.9m 和1.6m。IRF6622采用小罐DirectFET封装和SQ占位面积; IRF6628和IRF6629采用中罐DirectFET封装和MX占位面积。 这些25V DirectFET特别针对每相位20A至30A的设计。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位设计中,假如在每相位采用1对IRF6622和IRF6628,再配合 IR XPhase 芯片组,就可以在130A下达到88% 的效率。在相同情况下,IRF6622和IRF6629的组合之效率更高,在130A下达到88.5%。 产品基本规格如下： | 编号 | 封装 | BVDSS
(V) | 10V下 之
典型RDS (on)
(m) | 4.5V下 之
典型RDS (on)
(m) | VGS
(V) | Tc=25oC下之ID
(A) | 典型QG
(nC) | 典型QGD
(nC) | | IRF6622 | DirectFET SQ | 25 | 4.9 | 6.8 | 20 | 59 | 11.0 | 3.8 | | IRF6628 | DirectFET MX | 25 | 1.9 | 2.5 | 20 | 160 | 31 | 12 | | IRF6629 | DirectFET MX | 25 | 1.6 | 2.1 | 20 | 180 | 34 | 11 |
IRF6622、IRF6628和IRF6629 DirectFET MOSFET现已供货,全部皆符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
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