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英飞凌加紧转入90纳米制程 中芯和华邦电将跟进 |
| 发布时间:2006年8月18日 点击次数:355 |
| 来源:SEMI 作者: |
据台湾Digitimes消息,英飞凌副总裁Frank Prein近日指出,英飞凌加紧90纳米工艺转换,初期先由德国德勒斯登12英寸晶圆厂打头阵,优先从0.11微米转换至90纳米工艺,预定代工伙伴中芯国际与华邦电将随后跟进。 截至2006年3月底为止,英飞凌所有DRAM产出已有20%导入90纳米工艺。,英飞凌工艺转换先由德国德勒斯登12英寸厂打头阵,随后则是在美国维吉尼亚州Richmond晶圆厂与华亚半导体导入90纳米工艺,此外,英飞凌亦期待尽速在中芯国际与台湾华邦电导入90纳米工艺,2厂皆与英飞凌签有90纳米工艺授权协议。 不过,英飞凌并未给出中芯与华邦电2厂导入90纳米工艺生产DRAM的时程表。也未指明2006年底前将有多少90纳米工艺 DRAM产能开出。 总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技公司,为汽车和工业行业、固网通信市场提供半导体和系统解决方案,以及安全移动解决方案以及内存产品。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国圣何塞、加拿大、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2004财年(截止到9月份),公司实现销售额71.9亿欧元,在全球拥有约35,600名雇员。 |
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