日前,业界领先的服务于半导体行业的单晶湿式处理解决方案首要创新者SEZ（瑟思）集团宣布集团己开发出新型化学制程,将极大地改善前段制程（FEOL）中的光阻去除制程。SEZ的专有技术Enhanced Sulfuric Acid™ (ESA™) 去除制程能够利用一系列以硫酸为主的化学试剂,极大地缩减了目前在光阻去除机或者批式环境中实施的光阻去除制程的步骤：光阻重修、蚀刻植入后和光阻去除以及在等离子光阻去除制程之后的残留物去除等。在数个重要客户的单反应室R&D设备上进行的评估实验证明,这一全湿式化学方法取得了令人振奋的效果,而且预计在本年度后期,实施在SEZ多反应室FEOL的量产生产设备上时,有望取得更大的进步。

       光阻去除是一个耗时、耗成本的制程。在FEOL需要将近20个或更多的步骤来完成,其中植入后的光阻去除需要12到15次

       SEZ集团执行副总裁兼首席运营官Kurt Lackenbucher先生表示：“通过我们的技术,毫无疑问地,我们在FEOL光阻去除应用方面的解决方案能够充分满足客户直接、紧迫的需求,而且能够创造出在FEOL制程范畴内实施单晶圆方法的重要机遇。ESA去除制程和SEZ即将诞生的FEOL平台的结合将创造出能够迅速量产的、高性能解决方案,在一个灵活的单晶圆设备上实现了光阻去除和残留物清除。这一解决方案象征着SEZ集团沿着我们的技术蓝图又迈出了新的战略性步伐,即专注于可预见的客户需求,推动单晶圆技术在整个制造环节的部署。”