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SEZ 推出创新的FEOL光刻胶剥离解决方案 |
| 发布时间:2006年8月4日 点击次数:766 |
| 来源:半导体国际 作者: |
SEZ的ESA去除制程利用了一种增强的硫酸清洗,温度最高可以达到140°C。到目前为止,该制程已经成功用于去除i-line和深紫外线（DUV）的光阻,以及那些包含大范围植入离子的光阻。典型的制程时间非常短,而且在晶圆的正面和背面不会产生很多缺陷。加上该制程可以循环使用化学试剂能以及低耗材损耗等性能,凡此种种,都使得ESA去除制程有可能在拥有成本上实现重要的改进。 SEZ 继引领整个行业的BEOL从批式处理向单晶圆处理变迁之后,正在引领FEOL领域进行相似的衍变,在新兴的65-nm和45-nm技术的衍变过程中,扮演着转折点的角色。新的FEOL方法几乎能够实现与单晶圆湿式技术相关联的所有主要优点：更短的周期、更少的缺陷、更经济地使用化学试剂、最小的基材损伤以及正如预期地,整体拥有成本的改善 。背面清洗应用领域的FEOL市场占SEZ集团2005年销售总量的近30%,正是立足于这些优势,这一新型的FEOL光阻去除解决方案使得公司看到了非比寻常的增长机会。 |
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