导航:SEZ的ESA去除制程利用了一种增强的硫酸清洗，温度最高可以达到140°C。到目前为止，该制程已经成功用于去除i-line和深紫外线（DUV）的光阻，以及那些包含大范围植入离子的光阻。典型的制程时间非常短，而且在晶圆的正面和背面不会产生很多缺陷。加上该制程可以循环使用化学试剂能以及低耗材损耗等性能，凡此种种，都使得ESA去除制程有可能在拥有成本上实现重要的改进。
SEZ 继引领整个行业的BEOL从批式处理向单晶圆处理变迁之后，正在引领FEOL领域进行相似的衍变，在新兴的65-nm和45-nm技术的衍变过程中，扮演着转折点的角色。新的FEOL方法几乎能够实现与单晶圆湿式技术相关联的所有主要优点：更短的周期、更少的缺陷、更经济地使用化学试剂、最小的基材损伤以及正如预期地，整体拥有成本的改善
。背面清洗应用领域的FEOL市场占SEZ集团2005年销售总量的近30%，正是立足于这些优势，这一新型的FEOL光阻去除解决方案使得公司看到了非比寻常的增长机会。