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韩国厂商KEC获Vishay MOSFET芯片专利 |
| 发布时间:2006年9月6日 点击次数:296 |
| 来源:SEMI 作者: |
据国际电子商情网站报道,分立元器件制造商KEC公司日前表示,已购买Vishay Siliconix与MOSFET相关的芯片专利和技术。KEC表示,这将使其成为第一家生产沟道MOSFET的韩国厂商,它将在其Gumi工厂生产晶体管。Vishay Siliconix是低电压功率MOSFET的主要生产商。KEC拒绝透露此次为购买专利向Vishay支付的费用。 KEC表示,计划7月在Gumi工厂利用0.5微米设计规范批量生产6英寸晶圆。这些晶圆也将被用于生产沟道式MOSFET和CMOS IC。 据介绍,Gumi工厂最初6英寸晶圆产能为5000个。KEC计划额外投资1.05亿美元,在2010年把该厂的月产能扩大至30000个6英寸晶圆,采用0.3微米工艺技术。此外,KEC计划把低电压MOSFET的年销售额在2010年提高到1.58亿美元。 |
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