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Vantage(R) RadOx(TM)系统

发布时间:2006年4月21日 点击次数:232
来源:半导体国际   作者:
 
       由于90纳米及以下先进器件在漏电流、氧化层可靠性及晶体管复杂性需求的不断提高,传统的炉管氧化技术已经不再适合这些关键应用;特别在闪存应用上更是如此。应用材料公司的Applied Vantage(R) RadOx(TM)系统所沉积的高质量氧化层在漏电流和可靠性上相对于炉管系统有10倍的提高。运用享有专利的激进氧化反应RadOx生长出更高密度的氧化层,并且其表面更平滑、覆盖性更好、生长率更高。结合高生产力的Vantage主机平台,应用材料公司RadOx技术的优越性已经被多项关键氧化应用所证实,这包括隧道氧化层、氧化-氮化-氧化结构中的氧化层、浅槽隔离衬底氧化层和电门氧化层。



       Applied Materials  www.appliedmaterials.com 

       Booth: #3443

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