去年年底在韩国汉城发布的2005版国际半导体技术蓝图(ITRS)最引人瞩目之处在于摒弃了以往用来衡量半导体工业进步标准的“技术节点”的概念。尽管动态随机存取存储器（DRAM）的半间距（half pitch）指标仍然保持了传统的方式，但是最新的(ITRS)版本已经将动态随机存取存储器，微处理器和闪存的技术指标分门别类。在32和22纳米技术节点上实现半间距线宽的工艺尺寸，光学光刻技术仍然是一个非常有希望的潜在解决方案。综合考虑下一代技术，2005版 ITRS进一步细化和阐明了对光刻技术的期待和由此带来的挑战。

　　自2003版ITRS开始，光刻版面的重大改进是增加了针对近期潜在解决方案的新评估标准。备选的解决方案必须满足两个以上地域的前沿技术的需求，而且要切实可行，在需要的时候，随时可用，如果这种方案具备延展性且能够覆盖至少3个技术代那就更好了。就比如说，下两代的主流工艺 - 193纳米光刻技术(包括基于它的浸没式技术)已经成功的击败了157纳米光刻技术和电子束成像技术。如果高折射率液体以及相应的镜头材料能够得以实现，那么浸没式技术甚至可以延伸到32和22纳米技术节点。而现在，对于32和22纳米技术节点而言，极紫外线(EUV)光刻技术仍然被普遍看好，此外还有纳米印刷技术和无掩膜版光刻技术也具有相当的潜力。

　　随着对光学成像信心的不断增强，更多的资源被配置给浸没式光刻技术用以解决眼前的问题和面临的挑战。浸没式光刻技术和极紫外线光刻技术在2005 版ITRS中都被列为重中之重，用一句“困难的挑战”就可以体现两者的重要性和艰巨性。将浸没式光刻技术投入量产的关键是提高缺陷的控制和优化用于浸没式光刻技术的浸没的环境、光刻胶以及顶部疏水涂层的表现，而为了将浸没式光刻技术进一步向下延伸，使其能够实现32纳米半间距线宽的工艺尺寸，就必须在光刻胶、高折射率液体以及相应的镜头材料方面大做文章。

　　极紫外线光刻技术长久以来都被视为后光学成像时代强而有力的代表，但是就目前而言，将极紫外线光刻技术用于大生产仍然需要在技术和成本方面下工夫，这些问题包括掩膜版基版的缺陷控制、光源、光刻胶、光学部件的表现、光学系统的污染问题以及不能使用有机保护薄膜而产生的掩膜版的保护问题等。

　　2005版ITRS在光刻技术领域对一些关键点，如分辨率增强技术、根据生产的要求优化设计方案和下一代技术的需求等方面提出了更详尽的要求和标准，其中特别增加了一张表格用来说明对纳米印刷技术模版的需求。

　　下表详尽地列出了近期光刻技术的主要挑战。对于实现32纳米以及更细小的半间距线宽工艺尺寸而言，主要挑战包括以下几个方面：制备用于纳米印刷和极紫外线光刻的无缺陷掩模版技术，制备用于极紫外线光刻的移像掩模技术，图形量测和缺陷分析技术，成本控制和投资回报以及使用光刻胶化学材料涉及的问题等。