数据手册上说3-4ms.EECR的EEWE位清零.
但我用stdio仿真时EECR的EEWE位几个
us就清零了.
哪个可靠?
还是AVR的EEPROM有SRAM缓冲,写SRAM后自动在3-4ms内写入EEPROM?



AVR写实际EEPROM是通过内部寄存器进行的，不需要SRAM缓冲。3~4ms已经算快的了，有些外部EEPROM需要10ms呢。你在AVRSTUDIO中仿真或模拟当然很快，ICE200仿真是用RAM代替EEPROM的（为了保证ICE200中EEPROM的使用寿命），而模拟时更是不是真正使用EEPROM。