|
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
第308篇:AVR写EEPROM要多长时间 |
| 发布时间:2001年8月29日 点击次数:4625 |
| 来源: 作者: |
但我用stdio仿真时EECR的EEWE位几个 us就清零了. 哪个可靠? 还是AVR的EEPROM有SRAM缓冲,写SRAM后自动在3-4ms内写入EEPROM? AVR写实际EEPROM是通过内部寄存器进行的,不需要SRAM缓冲。3~4ms已经算快的了,有些外部EEPROM需要10ms呢。你在AVRSTUDIO中仿真或模拟当然很快,ICE200仿真是用RAM代替EEPROM的(为了保证ICE200中EEPROM的使用寿命),而模拟时更是不是真正使用EEPROM。 |
|
|
|
|
[AVR单片机] 相关文章: at90s8535 ad的输入端口中有不作ad的io脚是否可以做普通的io使用?简介: 可以 ...... 如果要求每50ms 发生溢出中断,请问TCNT1H TCNT1L 应是多少? AVR用的晶振能低到多少? 请问哪里查询AVR单片机价格? 我最近在用AT90S2313时,EEPROM内的数据在上电时被冲掉? |
|
|
|