据DRAMeXchange新发布报告,圣诞前夕DRAM现货市场供给已开始吃紧,从而刺激DRAM买气,特别是eTT (UTT)颗粒以及Hynix 512Mb 64Mbx8。另外,本星期的NAND Flash现货价仍处于下跌,相较于上星期,低容量颗粒价格跌速已趋缓,但高容量颗粒,特别是16Gb的价格则有跌幅增大情况。

　　DRAMeXchange指出,12/14至12/20日,DDR 32Mbx8 400MHz的价格已2美元上涨至2.11美元。DDR 512Mb 64Mbx8则从3.85上涨至4.16美元。而上周DDR eTT 256Mb从1.86上涨至2.02美元,DRAM买家也开始对DDR2感兴趣,目前DDR2 512Mb NMB价格约3.03美元,DDR2颗粒则维持在3.72美元。 　　

　　自12月以来,圣诞前夕订单大幅带动现货市场对DRAM的需求。但随着DRAM价格下跌过快与多数DRAM制造商不愿以过低价格供货,供给因而逐渐吃紧。12/7~12/13主要DRAM颗粒的价格并没有太大波动;而上周DRAM价格不跌反涨,造成许多渠道商屯货,因而在12/16日使DRAM价格达到高峰。　　

　　在DDR价格上涨的鼓励下,三星也尝试提高SDRAM颗粒价,包括SDRAM 1Mx16、4Mx16及8Mx16。然而,SDRAM需求并没有浮现,且交易情况也转为平淡。最终的成交价维持不变。 　　

　　在NAND Flash市场方面,DRAMeXchange指出,主要需求来自于记忆卡制造商。由于低容量1Gb至4Gb NAND Flash的价格连续下跌,促使制造厂在现货市场中搜货来供给圣诞节前的最后几批订单。尽管现货价格跟随需求升高,但需求会被上扬的价格立即压低,最后现货价格又会下跌以刺激买气。　　

　　16Gb颗粒跌幅显著的原因是最近16Gb的供给量大幅增加,但是却没有相对的需求,因而导致价格跌落至74.56美元。这个价格已经低于小型客户的合约价,而趋近于中型客户的。由于现货价已跌破一些客户的合约价,导致16Gb NAND Flash本周现货市场上乏人问津。