老古开发网首页
导航:老古开发网首页文章索引文章分类电源技术→[利用过压保护IC实现电池保护和切换功能]
| -文章搜索 - 最新文章 - |

利用过压保护IC实现电池保护和切换功能

发布时间:2005年12月4日 点击次数:972
来源:电子产品世界   作者:Maxim公司
 

       为了尽可能延长电池的使用寿命,大多数便携式设备采用内、外两种供电模式:没有外部电源时采用设备自带的电池供电;当有外部电源接入时立即切换到外部电源。这样,就需要一套专门的电路来检测是否有外部电路接入,同时,还需要一套电路来控制电源切换开关。此外,目前越来越多的设备采用锂离子电池供电。锂离子电池具有能量密度高、无记忆效应等优点,但它的缺点也很明显,相比传统的镍镉、镍氢电池更为脆弱。锂离子电池对于过充、过放非常敏感,过度的充电和放电会严重影响其使用寿命。因此,在一些高端设备所用的电池中,例如手机、笔记本等,都组装了一个保护板,对电池的充放电进行保护。但是,在一些中低端电池中,出于成本考虑制造商并没有加保护板,需要在电池外部对电池进行充、放电保护。充电保护可以由合理的充电器设计来提供,放电保护就需要在负载端来实施了。这就需要另一套电路来检测电池电压,当电池电压降到保护点时切断供电通路,停止放电。

       最简单的电源切换电路用两个二极管“或”的方式即可实现,但二极管的正向压降会浪费掉可观的电池电量。以单节锂离子电池为例,额定放电电压约为3.7V,那么0.7V的二极管正向压降使近20%的电池电量白白浪费掉。即使采用正向压降更低(0.3V-0.4V)的肖特基二极管,也会有将近10%的电量被浪费掉。而肖特基二极管比较大的反向漏电(毫安级)又会产生另外一些问题。二极管也无法提供放电保护,需要额外增加开关及控制电路来做过放保护。

       比较理想的方案是用MOSFET作为切换和保护开关。MOSFET具有毫欧级的导通电阻,它所引起的压降几乎可以忽略。当电池电压过低时也可以利用MOSFET切断供电通路,保护电池。但需要设计一套专门的电路来检测电压和驱动MOSFET栅极。可以用一些标准电压比较器、电压基准和分离元件实现这部分功能,但这会增加电路的元件数和复杂度,增大静态功耗。

       Maxim的MAX4838-MAX4842系列过压保护控制器设计用于为电路提供过、欠压保护,IC内部集成了电压监视电路和高端N沟道MOSFET驱动器,正好可以借用它来实现上述控制。图1就是一个针对单节锂离子电池的应用而设计的应用电路。

图1  利用MAX4842过压保护IC实现电池切换和保护

       该设计利用MAX4842的欠压锁定功能(UVLO)实现对于电池的放电保护。MAX4842的欠压锁定门限为2.8V - 3.2V,单节锂离子电池的放电终止电压为2.7V左右,电池放电到3.2V时也基本放空(如图2所示),因此,无需任何调整,该门限范围恰好适用于单节锂电池。

       另外,MAX4842的过压保护门限为4.4V - 5.0V,也高于单节锂电的4.2V上限电压。电源切换电路是利用MAX4842的使能控制引脚/EN配合分压电阻R1/R2实现的。当没有外部电源接入时,如果电池电压高于2.8V - 3.2V的保护门限,/EN被R2拉低,MAX4842驱动Q1、Q2的栅极为高电平使其导通,电池为负载供电;当有外部电源接入时,通过R1/R2分压后在/EN引脚上产生的电压高于1.47V后MAX4842被禁止,Q1、Q2被关闭,由外部电源给负载供电。图中的二极管D2用于阻断灌入外部电源的反向电流,并防止/EN被错误拉高。由于它串在外部供电通路上,损失一点效率没有关系。

图2  700nAh锂离子电池已不同速率放电时的放电曲。


欢迎进入老古论坛进行讨论
[电源技术] 相关文章:
IR推出60V MOSFET降低30%导电损耗
简介:
  国际整流器公司近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET-IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V),导电损耗可比同类解决方案减少30%。   单个采用SO-8封装的IRF6648,性能可与两个并联的同类增强型SO-8器件相媲美。IRF6648最适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。   如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离式转换器的次级,功率密度可由每平方英寸72W增加15%。这完全归功于IR DirectFET MOSFET 封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。   IR中国及......

G3524与SG3525的功能特点及软起动功能的比较
Maxim推出带I2C接口的低成本锂离子电池监视器
NS推出能源管理单元可将手持设备功耗减少达70%
TI针对工业传感器与监控器推出高精度4~20mA发送器
凌特推出4MHz同步降压型稳压器提供3A电流
圆创推出高整合度7信道数字相机电源管理IC
电流反馈运算放大器在高速I/O中的应用
Intersil针对蓝牙推出单节锂离子电池充电器IC
面向充电器及适配器应用的高效低功率IC
 
下一个:[新闻热点]南亚科技拟投资建300mm芯片厂
简介:
台湾内存芯片生产商南亚科技计划于明年第一季度开始动工建设该公司第一家先进的300mm芯片生产厂,预计初期投资介于400亿元新台币和500亿元新台币(合15亿美元)之间。   南亚科技副总裁Pei-Lin Pai表示,“我们将于明年完成工厂框架,同时计划明年中期开始投入生产。”   此项投资仅是新厂第一期工程,目标是使该厂硅片生产能力达到每月2.4万片。芯片是通过300mm硅片制作而成的,根据芯片构造的不同,每块硅片可以制成数百甚至数千块芯片。拿南亚科技DRAM业务来说,每块300mm硅片可以制成几千块芯片。......
 

上一个:[新闻热点]明基MP3生产将迁至苏州

老古开发网版权所有 2006年9月 asp.Net V2.0 设计:老古
页面缓存:10分钟 执行时间:16毫秒