老古开发网首页
导航:老古开发网首页文章索引文章分类电源技术→[NS推出能源管理单元可将手持设备功耗减少达70%]
| -文章搜索 - 最新文章 - |

NS推出能源管理单元可将手持设备功耗减少达70%

发布时间:2005年12月2日 点击次数:280
来源:EDN电子设计技术   作者:
 

       美国国家半导体公司宣布推出业界第一款采用数字技术控制的 PowerWise™ 能源管理单元 (EMU)。以电池供电的手持式电子消费产品只要采用这款高度集成的能源管理芯片,便可减少数字处理器的功耗。这款型号为 LP5550 的能源管理单元可与美国国家半导体的先进功率控制器及 ARM Ltd. 公司的智能能源管理 (IEM) 技术搭配一起使用,优点是可将数字处理器核心的功耗减少达 70%。这款 LP5550 芯片及先进功率控制器也可支持由美国国家半导体与 ARM 公司一同为业界制定的开放式 PowerWise 接口 (PWI) 标准。

       只要采用美国国家半导体的 LP5550 芯片,便可按照数字处理器的实际需要将供电电压调至最低,这样可大幅减少处理器的功耗。LP5550 芯片内置一个专为处理器核心提供可适性供电电压的降压稳压器以及另外三个固定电压稳压器。这三个固定电压稳压器可为低功耗单芯片系统的输入/输出环、振荡器/锁相环路以及存储器提供供电。PWI 接口可以控制这款 LP5550 芯片的功能,让数字处理器可以轻易与 LP5550 芯片保持联系。

       美国国家半导体先进电源管理产品总监 Ravi Ambatipudi 表示:「美国国家半导体的 LP5550 芯片为功率转换效率创立业界的新标准。这款 LP5550 芯片采用先进的数字电源管理控制技术,因此可以同时将系统效率及功率转换效率提升至最高水平。由于能源方面有这样大幅的节省,因此手持式电子产品厂商可以为产品添加视频及 3D 电子游戏等新功能,但又可延长产品的电池寿命。」

       LP5550 芯片可以支持 PWI 接口,这是一种设有两条引脚的高速串行电源管理控制接口,可支持先进处理器的电源管理功能。LP5550 芯片内含利用数字技术控制的 300mA 电流、0.6V 至 1.2V 电压的降压稳压器,效率高达 90%,因此可以支持自适应电压调节功能。此外,这款芯片也内置 3 个可编程低压降稳压器,输出电压介于 0.6V 与 3.3V 之间,其中一个低压降稳压器可支持 100mA 的电流,而其他两个则可支持 250mA 的电流。

       LP5550 芯片采用体积小巧而又不含铅的 16 引脚 LLP® 封装,不但具有卓越的散热能力,而且还可在 -40°C 至 +85°C 的广阔温度范围内操作。输入电压则介于 3.0V 至 5.5V 之间。

       自适应电压调节技术可以确定数字处理器操作时所需的最低供电电压。由于这种技术可以消除与处理过程、温度、IR-下降及稳压器承受度有关的电压容限,因此可以大幅降低数字处理器的供电电压。客户只要将这款先进功率控制器与美国国家半导体的 LP5550 芯片搭配一起使用,便可轻易在不同的平台上充分利用这种新技术。

       价格及供货情况

       LP5550 芯片以 1,000 颗为采购单位,单颗价为 4.50 美元,已有大量现货供应。此外,这款芯片也有不含铅封装可供选择。


欢迎进入老古论坛进行讨论
[电源技术] 相关文章:
TI针对工业传感器与监控器推出高精度4~20mA发送器
简介:
  日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款采用微型 MSOP-8 封装的高精度、4-20mA 发送器。XTR117 的偏移值与量程误差都很小,能够提供简便的过量程 (over-scale) 与噪声抑制信号,其电流消耗最多也只有 250uA。该款新的发送器属于 TI的 Burr-Brown 产品线,具有 7.5V~40V 的宽泛工作电压范围,而且能够承受高达 50V 的浪涌电源。   XTR117 在恶劣的电气环境中具有卓越的稳健性,能够可靠地为外部传感器调节电路电源提供3.75mA 时为 5V的稳压电源。该器件仅需外接一个比例电阻就可以为电压输出传感器调节电路轻松提供 100 倍的 Io......

凌特推出4MHz同步降压型稳压器提供3A电流
圆创推出高整合度7信道数字相机电源管理IC
电流反馈运算放大器在高速I/O中的应用
Intersil针对蓝牙推出单节锂离子电池充电器IC
面向充电器及适配器应用的高效低功率IC
超高速瞬态响应的电源模块
新型汽车 LED 应用为电源管理带来新的机遇与挑战
凌特推出双升压型DC/DC转换器 最大限度节省电路板空间
NS推出采用平均设定方法均分负载电流的功率控制器
 
下一个:[存储器]三星成功应用70纳米工艺制造DRAM芯片 明年应用于生产
简介:
全球最大的内存芯片生产商三星电子宣布,已经成功采用70纳米生产工艺制造出第一块DRAM芯片。一旦这种生产工艺广泛应用于该公司的生产线,从同一硅片上生产的芯片数量将会翻倍。   芯片上的晶体管越多,它们之间的距离就越近,芯片性能也将得到提升。对于三星、美光和英飞凌等厂商,开发新技术对于削减成本以及增加销量是至关重要的。   DRAM芯片在线票据交换所宣称,应用最广泛的DRAM芯片的价格今年下跌了1/3,目前每块的价格仅为2.53美元。由于生产商大量的需求,现货市场上的DRAM如同原油和小麦......
 

上一个:[电源技术]Maxim推出带I2C接口的低成本锂离子电池监视器

老古开发网版权所有 2006年9月 asp.Net V2.0 设计:老古
页面缓存:否 执行时间:16毫秒