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据悉美国东部时间12月4日(北京时间12月5日)消息,日本东芝、索尼公司12月3日在东京召开新闻发布会发布消息说,他们已经联合研制出0.065微米大规模集成(LSI)芯片的基本处理技术,从而可以使LSI芯片能够嵌入更大容量的存储器。
两家公司称,关于这一新技术的全部细节将在美国旧金山举行的国际电子设备会议(IEDM)上向外界介绍,该会议将于本月9日至11日之间召开。
他们表示,他们将依托这一技术,生产出可应用于未来的手机、车载网络系统、宽带PC网络设备等产品的大规模集成芯片系列产品。此前,东芝和索尼已经利用0.065微米芯片处理技术设计出IT业尺寸最小的可嵌入式DRAM,使单一芯片上的内存容量可达到256M比特以上。依据这一技术生产的系统大规模集成芯片的使用效率,将比依据0.09微米芯片处理技术生产的同类产品的效率提高30%。
东芝和索尼两家公司是2001年5月开始结盟合作的,自结盟以来他们已于今年9月研制出世界领先的0.09微米芯片处理技术,取得了不俗的成绩。于2002年4月开始联合研制的0.065微米芯片处理技术是两公司第二阶段合作所取得的成果,工程人员计划进一步努力,争取在2004年前使这一技术变得更加成熟。
东芝和索尼为两个阶段的联合研制设定为三年时间,他们已为三年的研制工作投入50亿日元(1.2亿美元)的科研经费。
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