AMD将携基于MirrorBit技术的闪存系列第一款64Mb产品，跨入高密度闪存领域。MirrorBit 闪存技术于一年前首次公布。
    
    MirrorBit技术通过实现每个单元包含2比特，从而使闪存的密度翻倍。AMD把MirrorBit视为一张王牌，以在未来几年超越市场领导者英特尔，成为闪存头号供应商。
    
    这家位于加州的公司十分肯定，在年底以前，AMD将把所有闪存开发的成果转移到MirrorBit，并把0.25微米生产线转为0.13微米，借此提高存储密度和增加成本效益。
    
    “当我们把所有资源转移到0.13微米MirrorBit上时，我们将有能力在竞争中领先。”AMD存储器业务技术市场副总裁Kevin Plouse说。
    
    AMD的竞争对手主要是英特尔的0.18微米StrataFlash多级单元(multilevel-cell)技术。尽管StrataFlash器件已经批量销售，AMD宣称MirrorBit为增加闪存密度提供了更有效的方法。
    
    AMD的市场份额急速上升。根据Web-Feet调研公司的报告，2001年英特尔占据了闪存市场的24.3%，而AMD获得了13.3%的市场。
    
    AMD称，提高效率的一种办法就是去除晶体管顶部的金属接触，以及更紧密地压缩比特。用此方法，可使相同的硅面积里包含50比特，超过过去的32比特。
    
    除此以外，无需金属接触的结构增加了裸片的产量，并且由于生产MirrorBit减少了生产步骤，AMD预计在同一间工厂可以将晶圆产量从每周7,000片提高至10,000片。
    
    该公司表示，MirrorBit器件的随机存取时间为90纳秒、扇区擦写时间0.1秒、64Kb扇区大小，而待机时仅耗电1微安，并且数据可保存20年的时间。另外，25纳秒的页模式读特性和6μs/字的编程将读写速度提高了50%。
    
    现在AMD可提供0.8到1毫米间距的FBGA和TSOP封装的64Mb产品。购买1万件时的单价为7.95美元。
    
    AMD计划今年用0.25微米技术推出32~256Mb MirrorBit高密度闪存系列。2003年前，公司计划推出采用0.13微米工艺的512Mb和1Gb的MirrorBit产品。