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AMD亮出王牌，欲凭高密度MirrorBit闪存系列超越英特尔 |
| 发布时间:2002年6月22日 点击次数:262 |
| 来源:interent 作者: |
MirrorBit技术通过实现每个单元包含2比特,从而使闪存的密度翻倍。AMD把MirrorBit视为一张王牌,以在未来几年超越市场领导者英特尔,成为闪存头号供应商。 这家位于加州的公司十分肯定,在年底以前,AMD将把所有闪存开发的成果转移到MirrorBit,并把0.25微米生产线转为0.13微米,借此提高存储密度和增加成本效益。 “当我们把所有资源转移到0.13微米MirrorBit上时,我们将有能力在竞争中领先。”AMD存储器业务技术市场副总裁Kevin Plouse说。 AMD的竞争对手主要是英特尔的0.18微米StrataFlash多级单元(multilevel-cell)技术。尽管StrataFlash器件已经批量销售,AMD宣称MirrorBit为增加闪存密度提供了更有效的方法。 AMD的市场份额急速上升。根据Web-Feet调研公司的报告,2001年英特尔占据了闪存市场的24.3%,而AMD获得了13.3%的市场。 AMD称,提高效率的一种办法就是去除晶体管顶部的金属接触,以及更紧密地压缩比特。用此方法,可使相同的硅面积里包含50比特,超过过去的32比特。 除此以外,无需金属接触的结构增加了裸片的产量,并且由于生产MirrorBit减少了生产步骤,AMD预计在同一间工厂可以将晶圆产量从每周7,000片提高至10,000片。 该公司表示,MirrorBit器件的随机存取时间为90纳秒、扇区擦写时间0.1秒、64Kb扇区大小,而待机时仅耗电1微安,并且数据可保存20年的时间。另外,25纳秒的页模式读特性和6μs/字的编程将读写速度提高了50%。 现在AMD可提供0.8到1毫米间距的FBGA和TSOP封装的64Mb产品。购买1万件时的单价为7.95美元。 AMD计划今年用0.25微米技术推出32~256Mb MirrorBit高密度闪存系列。2003年前,公司计划推出采用0.13微米工艺的512Mb和1Gb的MirrorBit产品。
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