|
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
GTR基极驱动厚膜集成电路HL201A |
| 发布时间:2006年6月11日 点击次数:784 |
| 来源:国外电子元器件 作者:西安石油学院 李 宏 大庆电力总公司调度中心 张兴国 |
摘要:HL201A是西安电力电子技术研究所研制的75A以内GTR的专用厚膜可驱动器集成电路,文中介绍了HL201A的引脚排列、功能和用法。同时介绍了该器件的主要参数和特点,剖析了它的内部结构和工作原理,给出了它的典型应用电路以及用于斩波器系统的实际电路。 关键词:GTR 驱动器 厚膜 HL201A HL201A GTR驱动器适用于75A以内GTR的直接驱动。它采用厚膜工艺制造,内置微分变压器,可实现输入、输出信号的隔离,具有可靠性高、受环境因素影响小、性能优良及价格便宜等优点。HL201A GTR厚膜驱动器为国内首创。它响应速度快,并具有贝克钳位端,外接高反压快速二极管MUR1100即可实现贝克钳位。其较大的输出功率可直接驱动75A以内的GTR模式。 1 引脚排列及功能 HL201A采用单列直插法案标准16引脚厚膜集成电路封装,其引脚排列如图1所示,各引脚的名称、称号、功能及用法如表1所列。
2 内部结构及工作原理 HL201A的内部结构及工作原理框图如图2所示。 3 特点及参数 HL201A对电源的适应范围很宽,而且输出驱动电流大,同时工作频率也很宽,该电路采用厚膜封装,因而提高了对环境的适应性。 HL201A的主要电参数如下: ●供电电源电压:Vcc=+8~10V,VEE=-5~-7V; ●最大输出电流在前沿时大于±25A,前沿上升时间<1μs,平顶时为1.5A; ●输出驱动信号:高电平时大于5V,吸取电流小于5mA; ●输入、输出响应时间小于1.5μs; ●输入与输出间的隔离电压为工频2500V(1分钟)。 4 应用 4.1 典型工作波形 图3给出了HL201A在工作时的输入电压与输出电流的典型波形。 4.2 典型应用电路 图4给出了HL201A的典型应用接线图。图中二极管VD应选取快恢复二极管,如FR107、MUR1100等。 HL201A输出的正驱动电流为: IB1=(Vcc-Vce(set/(Rc+RB1) 对于50A的达林顿GTR元件,IB1应取0.5A左右,对于75A的GTR元件,IB1应取1A左右,RB1一般取1Ω。故有: RC=[(Vcc-Vce(sat))/IB1]-1(Ω) 式中:Vcc为供电电压,Vce(sat)为被驱动GTR的饱和压降,通常电阻Rc为5~10Ω,电感LB一般为几μH,使用中般取RB2>Rc。 4.3 实际应用电路 图5给出了应用HL201A驱动GTR制成的斩波式开关电源的原理电路图,所用的功率GTR为50A的三级达林顿型,输入信号由TI公司的PWM发生器TL494产生。 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
[综合电子] 相关文章: AMD将宣布建新厂计划可能用来产65纳米芯片简介:
AMD公司开始涉足45纳米制程的芯片生产之前,这家新生产厂很可能会用来生产65纳米制程的芯片产品。 由于AMD公司目前已经在德国德累斯顿市建立了两家生产厂,因此有些业内人士猜测AMD公司可能会将新生产厂的厂址选在亚太地区,因为那里的人工费用相对较低一些。 但是Semico公司的卡瓦诺说,最先进的生产厂都是高度自动化作业,不需要太多的工人。因此,在决定新生产厂的厂址的时候,人工费用就只是一个较小的影响因素了。 卡瓦诺说,相比起来更重要的是当地基础设施的质量,比如可靠的供电和供水条件、便于产品运输的道路和运输条件等等。 由于德累斯顿市...... 单片CVSDMC3418的应用电路设计
TLC770X与TL770X的比较和替换
铁氧体电路板(FCB)可缩小8~40GHz系统的尺寸
低电压、恒定增益、Rail-to-RailCMOS运算放大器设计
TCP/IP协议在A T91RM9200上的实现
BenQ Siemens 推出 EF71 Q-Fi 音乐手机
LG 推出 8GB MFJM53 PMP 随身媒体播放器
欧洲发行黑色款 DS Lite
Sony Ericsson 于日本发售 W42S 3G Walkman 手机 |
|
|
|