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IDT携手英特尔实现先进内存缓冲装置互通 |
| 发布时间:2005年10月13日 点击次数:348 |
| 来源:EDN电子设计技术 作者: |
IDT公司已经与Intel公司合作,两家公司先进内存缓冲(AMB)装置的全缓冲双列直插式内存模块(FB-DIMM)之间可以互通,领先业界完成兼容。有了这项互通之后,内存模块、服务器与工作站的设计师可放心选择FB-DIMM平台,系统仍保持弹性,可随频宽需求增加而升级。
IDT将在8月23日到25日在旧金山的 Moscone 中心西区举行的英特尔开发者论坛第936号展览摊位演示部分的互操作性,这项合作成果将是展出内容的一部份。 IDT DIMM支持产品群策略行销经理Tom Kao指出:“对于这一技术里程碑,我们感到非常兴奋,它将能协助客户发展出下一代高频的服务器与工作站系统。通过无与伦比的精湛技术,IDT不断展现在DIMM市场的领导地位与承诺。IDT很早就以AMB装置进入此市场,我们承诺建立AMB的生态系统,持续进行策略合作,以期使客户能享有先进的技术。” 英特尔数字企业集团方案销售总监 Jim Pappas 说:“AMB的互操作性是使 FB-DIMM的好处得以现实的一个重要步骤。这一里程碑证明互操作性的可能,并提供系统设计者符合下一代服务器需求的工具。” IDT与 Intel 的AMB产品是下一代高带宽应用至关重要的建构模块,包括需要高速及内大存储容量的服务器与工作站。在信道上的内存控制器与模块之间,提供高速、串行、点对点的连接,是FB-DIMM通道架构的重要特性。每个FB-DIMM上的AMB芯片,会收集与散布来自或传到DIMM的数据,接着在芯片内部缓冲数据,再接收或传送到下一个DIMM或内存控制器中。这项独特的信道结构降低常见于暂存DIMM技术的缓冲延迟问题,让设计者在单一系统内可应用大量的DIMM。 IDT AMB产品目前开始提供送样,2005年中将量产。
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