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对于包含有大电容量的装置而言,控制浪涌电流成为一大难题。最简单的方法就是将浪涌限幅电阻器与电容器组串联,但电阻器会浪费功率并增加压降。图1所示电路解决了这一难题并能提供其它优势。在启动时,双极型 PNP晶体管Q2使N沟道功率MOSFET晶体管Q1保持关断,直到电容器Cl两端的电压高到足以关断Q2的电平为止。在此时间间隔内,电阻器R1为C1及电路其它元件提供启动电流。当Q2关断时,Q1导通并在 R1两端提供一条低阻通道。当关闭外部电源时,电路随C1放电而复位。
作为额外好处,该电路还可提供短路负载保护。随着通过Q1的电流增大,Q1两端的压降也由于Q1内部导通电阻而增大。当Q1两端的电压降至约 0.6V（Q2的 VBE(ON)电压）时,Q2导通且Q1关断,并迫使负载电流通过R1。消除短路恢复正常工作,并使Q2关断及Q1导通。请注意：由于Q1导通电阻充当该功能的检流电阻器,故短路消除点可随环境温度及Q1的特性而变化。您可以通过选择R1与Q1的导通电阻特性来调整Q1的导通和关断阀值。增加一个与Q2 发射极相串联的普通二极管或齐纳二极管,就可增加短路脱扣电流。
用于构建此电路的元器件及其参数值取决于具体应用。根据设计要求,您可能需要为R1选择一个大功率电阻器,或给 Q1增加一片散热片。但对于许多应用,该电路比其它常规方法更节省功率。
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