据电子资讯时报网站报道,飞思卡尔(Freescale)近期在供应商大会中重申,其全年资本支出将以12英寸厂的90、65nm工艺为优先,并加速开发45nm工艺。同时飞思卡尔近期决定将部分网通、混讯IC交由台积电量产,扩大了下半年对台积电的投片。

对飞思卡尔来说,内部重心逐渐定位于高阶工艺,同时将部分成熟产品委外释单,从而提升内部竞争力并获利。飞思卡尔指出,未来8英寸厂工艺方面将首重绝缘层上覆硅技术(SOI)、非挥发存储器(NVM);而12英寸厂则首重90nm工艺,并以混讯RF、CMOS工艺为核心,同时强化65nm工艺能力,加速开发45nm工艺。

飞思卡尔也重申,持续朝获利转型是锲而不舍的目标,2006年第一季度毛利率已大幅提升至45.3％,未来在全力资产轻简化、压低成本策略下,毛利率可望进一步攀高。