---- 半导体产业界的研究机构,International Sematech,（位于美国德克萨斯州的Austin）利用从一个6W氟激光光源获得的175nm紫外线,进行了光刻实验。结果显示0.07微米以上线条的光刻工艺技术,已经有了明确的道路可循。该机构装配了一台微步进重复机,可以在157nm光源下工作,并且经过实验证明它能正常运行。

---- 实验结果表明,当实验样品的图形,在线条宽度和间距相等时,分辩率可达到0.11μm;当线条宽度和间距之比为1:1.15时,分辨率可达到0.09μm。复印图形时所使用的光致抗蚀剂,是由Shipley公司（位于美国麻省的Marlborough）和Intel公司（位于美国加州的Santa Clara）共同研制的实验样品;实验使用双重光刻掩模,普通光源（参看照片）。

图：这些0.09μm线条,是用157nm氟激光光源进行光刻腐蚀形成的。所用的微步进重复机是一个实验用设备。

---- 以上实验结果,是在克服了一些困难问题以后才得到的。首先,光学系统所使用的材料,应该能够通过所使用波长的光线。系统中透镜“玻璃”和涂膜所使用的材料与通常光学系统所用的是不相同的。实验的另一个成就,是成功地制造了世界上第一件10X反折射镜头（即将反射和折射作用结合在一起）,透镜以及全部透镜组的抗反射涂料都使用氟化钙材料。

---- 此外,聚焦精度也必须达到25nm。透镜是由Tropel公司（位于美国纽约州的Fairport）制造的,自动聚焦的机构和工作台则是由Exitech公司（位于英国的Oxford）制造的,组装整合工作则是由Sematech完成的。最后,和每次完成其它工艺缩小技术一样,还需要解决光致抗蚀剂和冲洗气体的净化问题。

---- 研制此台微步进重复机的目的,主要是为了在研究和开发新的光致抗蚀剂时,可以进行实验。它的投影区域的面积仅为1.5×1.5mm;对于半导体生产来说是太小了。

---- 当前先进的晶圆片加工厂中,光刻设备所使用的波长为248nm,加工的芯片,特征尺寸可以达到0.18μm。其它的设计和开发单位,正在努力企图将加工芯片的特征尺寸降低至0.13μm,或更小一些。但是无论如何跨不过0.10μm的大关。

---- 如果157nm光刻技术在0.07μm附近不再有潜力可挖掘,研究工作将转向采用带电粒子,而不能再采用光波。如愿从International Sematech了解更多的情况,可以访问：http://www.sematech.org。

--------Rodney Myrvaagnes/王正华译