IBM微电子公司（位于美国纽约州的East Fishkill）和Motorola半导体公司（位于美国阿利桑那州的Phoenix ）最近各自都为其即将投产的生产线解决了一些生产技术问题;这些问题的解决，可以在缩小特征尺寸，使器件性能得以提高的基础上，进一步提高了产品的性能。IBM公司在它的铜数字型ASIC生产工艺中，进一步采用低介电系数的聚合物取代二氧化硅。Motorola公司则在它的BiCMOS RF生产工艺中集成了异质结双极型晶体管（HBT）的生产工艺模块。

---- IBM公司是在它的Cu-11 ASIC工艺中采用了Dow Chemical公司生产的一种碳氢化合物的聚合物。此种聚合物称为SiLK具有许多优良的性能，适合用于集成电路的生产。Cu-11工艺，是一种0.13μm的CMOS工艺，采用嵌入铜连接线工艺技术。

图：此图是IBM公司提供的。图中显示，矩形截面的铜连接线，在低介电系数的聚合物中，设置的间距可以比在二氧化硅中的间距小得多。因此可以使芯片的时钟频率提高30％。

---- SiLK的介电系数为2.65，比SiO2小40%。由于是铜，连接线截面可以减小;由于是SiLK，间距可以缩小，而不至于引起电容过大。两个因素合在一起使芯片的性能得以提高30%。

---- SiLK聚合物的玻璃态转换温度（Tg）超过490℃;低于Tg时，聚合物不显露蠕变现象。在450℃以下，聚合物性质是稳定的，可以经受Cu-11半导体工艺的加工工序。它既可以和在常规CMOS工艺中，采用铝，钨做连接线的工艺兼容;又可以和采用嵌入铜连接线的工艺兼容。

---- 从机械性能方面考虑，此聚合物的平坦性和对缝隙的填充性能都不错，估计在0.10μm的工艺中都可以采用它。Dow Chemical公司说，它的价格并不比SiO2贵。IBM公司现在已经将它用来生产ASIC。

---- Motorola公司则在它的0.35μm BiCMOS RF工艺生产线上，解决RF技术问题，努力提高极限工作频率。0.35μm BiCMOS RF工艺，是经过生产考验的成熟的主流生产工艺，Motorola公司是在此工艺基础上集成了生产硅锗：碳 ( SiGe:C ) 异质结双极型晶体管（HBT）的工艺模块。（增加了一些工序，并设法与原工艺兼容。）

---- 新的HBT晶体管 截止频率超过50GHz，最高振荡频率可达90GHz。同时，新晶体管的工作电流，只需现在生产中的SiGe HBT晶体管的一半。

---- 新生产工艺的鉴定将在今年年底前完成，2001年年初即可开始投入生产。如愿了解更多的情况，可访问IBM的网址：http://www.chips.ibm.com和Motorola的网址：http：//www.motorola.com。