NanoSciences公司（位于美国康涅狄格州的Oxford）的研究人员，成功地开发了一种核心微加工工艺技术。可以在半导体材料上加工出深宽比十分高的，微细深沟道。此项核心技术在电子影像处理，和其它先进构造的制作方面具有十分巨大的潜力，为许多重要产品的生产创造了条件。

图：硅腐蚀工艺技术可以在硅材料上作成长度为7微米，中心间距为8微米，深度为300微米的沟道网。

---- 此项光刻工艺技术可以形成位置十分精确的，贯通整个硅晶圆片的穿孔。穿孔的直径可以小于深度的百分之一。如此高的深宽比，是迄今为止其它任何加工方法达不到的;是用其它方法在硅晶圆片上所制成穿孔深宽比的许多倍。

---- 在p-型硅材料上，用电化学方法在电解液中制成微沟道的电极板。使形成的微沟道布满整个材料。再将微沟道的表面生长成绝缘的二氧化硅。然后再在沟道的绝缘表面上淀积一层具有高电子发射率的二次发射材料。

---- 采用此种方法生产的产品，它的电子倍增性能不亚于现有的玻璃微沟道电极板的性能。该公司已经制成直径为100mm的晶圆片。并且计划生产直径为200-mm和300-mm的晶圆片。

---- 除了可以制造半导体的微沟道电极板以外，此项技术制成的穿孔，还可以在多芯片装配过程中，用来形成晶圆片的穿孔。此外，还可以用在高功率器件中，形成集成的热管作为散热器用;还可以做成阵列用作x-射线的闪烁电极板。如欲了解更多的信息，请和NanoSciences公司的Phillip DiMascio先生联系，美国电话号码为：001-203-881-2827，网址为;http;//www.nanosciences.com。