瑞萨科技公司(Renesas Technology)日前与Grandis达成协议，将共同开发采用自旋磁矩转换写入技术的65 nm工艺磁性随机存取存储器(MRAM)。瑞萨科技将在不久的将来开始供应采用65 nm工艺STT-RAM的微型机和SoC产品。

自旋电子学(Spintronics)是一使电子充电和旋转均能用于携带信息的新技术，由于其广泛的应用潜力引发业界的强烈关注。Frost & Sullivan分析师Sivakumar Muthuramalingam在报告中指出：“自旋电子的首批应用领域已得到确认，业界对开发下一个自旋电子组件的兴趣极大，并期望它能推动新一波革命。”

自旋电子最大的潜力是嵌入内存和非挥发性内存组件，如磁阻随机存取内存(MRAM)，据Muthuramalingam称，这将助于复杂和挥发性运算及个人装置的开发。MRAM表示将不断导入创新技术，如快速激活计算机。

但自旋电子的研究面临几大挑战，尤其是与制程相关的问题。因与目前半导体制程不兼容，导致无法从目前的半导体生产线过渡生产MRAM。

业界对自旋电子学的兴趣成长迅速，许多采用旋转的组件将于3到5年内上市，而MRAM预计最早于2006年上市。其它应用领域包括量子运算，革命性的旋转晶体管也可望打破半导体电子组件的垄断局面。