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瑞萨科技发布用于5GHz频段无线网络终端的环保型高性能SiGe MMIC |
| 发布时间:2005年7月26日 点击次数:250 |
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这两种器件的特性总结如下。 HA31005具有高性能发射功率放大器MMIC的特性。 采用环保型SiGe工艺和完全无铅封装 大多数用于5GHz频段的无线网络终端的发射功率放大器MMIC都是采用InGaP和GaAs 工艺*2,瑞萨科技的产品使用了一种不包含任何增加环境负担的物质的SiGe工艺。这些器件可以作为其他普通工业材料进行相应的处理,它与InGaP和GaAs工艺的产品相比,具有更容易处理的特点。该封装是完全无铅的,在裸片压焊或电极上都没有使用铅。 与采用InGaP和GaAs工艺的产品具有同样的低电流耗散和高增益性能 其在180mA时的低电流耗散可达到+18dBm的输出*3。其他性能与采用InGaP和GaAs工艺的产品保持着同样水平的高性能,具有63mW（+18dBm）的输出（在4%EVM*4）和在5.2GHz频率下的22dB功率增益。这保证了可以在低系统功耗的情况下,实现IEEE802.11a标准*5的无线网络。 HA31006低噪声放大器MMIC的特性 业界最低的噪声性能 一个低噪声放大器MMIC能够在接收期间对极小信号水平的无线电波进行放大,同时应该尽可能地向下抑制噪声。作为用于5GHz频段无线网络的低噪声放大器MMIC,HA31006实现了业界最低的噪声性能,其在5.2GHz时的噪声系数为1.5dB。 它在3V工作电压时的电流耗散也很小,只有7mA,能够在低功耗情况下改善无线网络系统的接收灵敏度性能。 |
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