产品说明：

新的STK800和STK850分别是20A和30A的MOSFET，采用顶置金属片的PolarPAK封装，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度,占板面积与SO-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm。

新器件采用ST最新优化的STripFET制造技术，在更小的芯片面积上取得了更低的通态电阻和功耗，这项技术是以大幅度提高单元密度和降低单元线宽为基础的。在10V时，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0毫欧，30A STK850是2.9毫欧。结到外壳热阻极低和结温较低的特性是降低两款MOSFET的通态电阻的主要因素。

电容低和栅电荷总量低使STK800成为非隔离型DC/DC降压转换器的控制场效应管的理想选择，同时极低的RDS(on)电阻使STK850成为一个优秀的同步场效应管解决方案。较低的工作温度有助于提高能效和使用寿命的可靠性。新的封装加强了裸片保护，提高了制造过程中芯片拾放的便利性，并兼容现有的SMD组装设备。