产品说明：

反激式控制器LT3750驱动一个外部大电流N沟道MOSFET，能够在低于300ms的时间内将100uF的电容器充电至 300V，非常适用于专业照相闪光灯系统、射频保安系统、库存控制系统和专门的高压电源。其获得专利的边沿模式控制电路最大限度地降低了转换损耗，并缩小了变压器尺寸。

LT3750的主边检测拓扑消除了对外部输出电压分压器的需求,由于采用单个大电流N沟道MOSFET，具有高于90% 的充电效率。78mV的低电流检测准确地限制了峰值开关电流，同时优化了效率。输出电压可以非常容易地用变压器匝数比和两个外部电阻来调节。

其他特点：可对任何容量的电容器充电;易于调节的输出电压;驱动大电流N沟道MOSFET;主边检测──无需输出电压分压器;宽输入范围：3V～24V;驱动栅极电压至VCC-2V;采用10引线MS封装。