全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列,适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。
新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术,包括 55V 和 150V 标准栅极驱动 N 沟道 MOSFET,以及适用于高侧开关应用的 -55 V 和 -100 V 标准栅极驱动 P 沟道 MOSFET ,这些技术不需要额外的栅极驱动电荷泵。有关的30V、55V 和 100V 逻辑电平栅极驱动 N 沟道 MOSFET 简化了栅极驱动要求,能够减少电路板空间和零件数量。所有这些新器件都针对低导通电阻 (Rds(on)) 进行了优化。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“通过使用 IR 经过验证的平面技术,这些新型车用器件平台在线性模式以及需要用坚固的 MOSFET 来驱动高感性负载的应用中表现出色。此外,这些器件非常适合采用较高电路板净电压的汽车,如卡车等。”
新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过 1,000 次温度循环测试后,导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而,经过延长测试后,IR的新款 AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%,体现了这款材料的高强度和耐用性。
产品规格:标准栅极驱动
器件编号 | 封装 | 栅极 驱动 | V(BR)DSS (V) | 10VGS时的最大导通电阻 (mΩ) | TC 为 25°C时的ID 最大值 (A) | 10VGS 时的QG 典型值 (nC) |
N 沟道器件 | ||||||
AUIRF3305 | TO-220 | 标准 | 55 | 8.0 | 140 | 100 |
AUIRFR4105 | DPak | 标准 | 55 | 24.5 | 30 | 13 |
AUIRFZ34N | TO-220 | 标准 | 55 | 40.0 | 26 | 23 |
AUIRF3415 | TO-220 | 标准 | 150 | 42 | 43 | 133 |
P 沟道器件 | ||||||
AUIRF4905 | TO-220 | 标准 | -55 | 20.0 | -74 | 120 |
AUIRFR5305 | DPak | 标准 | -55 | 65.0 | -28 | 42 |
AUIRF9Z34N | TO-220 | 标准 | -55 | 100 | -17 | 23 |
AUIRFR5505 | DPak | 标准 | -55 | 110 | -18 | 21 |
AUIRFR9024N | DPak | 标准 | -55 | 175 | -11 | 13 |
AUIRF9540N | TO-220 | 标准 | -100 | 117 | -23 | 65 |
AUIRFR5410 | DPak | 标准 | -100 | 205 | -13 | 39 |
产品规格:逻辑电平栅极驱动
器件编号 | 封装 | 栅极 驱动 | V(BR)DSS (V) | 4.5VGS时的最大 导通电阻(mΩ) | TC 为 25°C时的ID 最大值 (A) | 4.5VGS 时的QG 典型值(nC) |
AUIRLR2703 | DPak | 逻辑 | 30 | 65.0 | 22 | 15 |
AUIRL3705N | TO-220 | 逻辑 | 55 | 18.0 | 89 | 98 |
AUIRLR2905 | DPak | 逻辑 | 55 | 22.5 | 60 | 23 |
AUIRLR024N | DPak | 逻辑 | 55 | 110 | 17 | 15 |
AUIRLR120N | DPak | 逻辑 | 100 | 265 | 11 | 20 |
有关产品现已接受批量订单。相关数据和认证标准可浏览 IR 网页 www.irf.com 。IR 还提供 Spice 模型供索取。