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TSMC加速45nm工艺研发 |
| 发布时间:2006年9月4日 点击次数:348 |
| 来源:SEMI 作者: |
据EE Time网站报道,TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.Ltd.)近期首次披露其正在研发的45nm工艺的相关信息,并表示将提高研发速度,争取2007年提供服务。 TSMC计划推出一项低功耗的45nm工艺,并将这项制成工艺的发布日起由原来的2007年第四季度提前到2007年第三季度。此项工艺将需要10层金属工艺,栅长将会降低到26nm。 同时在45nm工艺中,TSMC将采用193nm光刻技术,并计划采用第二代低k介电薄膜,其k值在2.5-2.6之间。TSMC在现行90nm和65nm工艺中采用的低k介电薄膜的k值在2.9-3.0之间。 相关链接（英文）： |
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