据EE Time网站报道，TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.Ltd.)近期首次披露其正在研发的45nm工艺的相关信息，并表示将提高研发速度，争取2007年提供服务。

TSMC计划推出一项低功耗的45nm工艺，并将这项制成工艺的发布日起由原来的2007年第四季度提前到2007年第三季度。此项工艺将需要10层金属工艺，栅长将会降低到26nm。

同时在45nm工艺中，TSMC将采用193nm光刻技术，并计划采用第二代低k介电薄膜，其k值在2.5-2.6之间。TSMC在现行90nm和65nm工艺中采用的低k介电薄膜的k值在2.9-3.0之间。

相关链接（英文）：
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=187900343